高速互连 - 硬件新闻网

HBM3E通过硅通孔（TSV）与微凸点实现多层DRAM垂直堆叠，并借助2.5D封装及硅中介层与GPU、AI加速器高速互连，在提升带宽的同时降低单位数据传输能耗，其技术重点包括高密度互连、信号完整性、电源完整性及散热设计，随着堆叠层数和传输速率提高，封装良率、热管理与制造成本成为关键挑战，推动先进封装…