闪存颗粒 - 硬件新闻网

3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元提升容量与存储密度，其颗粒类型、接口速度和并行访问能力会影响持续读写表现，TLC通常比QLC具有更好的持续写入性能与耐久性；当SLC缓存耗尽后，写入速度可能明显下降，持续读取则更多受颗粒带宽、主控及通道配置影响，长时间读写产生的温升、垃圾回收和剩余空间不足，也可…